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南昌实现硅衬底发光材料全球首批量产
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www.ChinaSicNet.com 2008年01月02日 新华网江西频道
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   新华网江西频道1月2日电(记者冯丽)记者从南昌高新技术开发区获悉,经过近一年的建设,截至2007年12月31日,晶能光电江西有限公司年产30亿粒的硅衬底蓝、绿光LED芯片的生产能力已基本形成,从而在南昌实现了全球硅衬底发光材料的首批量产。 

    “硅衬底蓝光二极管材料及器件”采用新型发光材料,即用“硅”代替传统的“蓝宝石”或“碳化硅”作衬底制造发光二极管,硅衬底发光材料的成本只有蓝宝石和碳化硅的几分之一,因此具有较强的市场竞争力。 

    这一拥有完整自主知识产权项目是2007年2月1日在南昌高新技术开发区启动的。此项目打破了外国公司在“碳化硅衬底半导体照明”上对我国的技术垄断,立即吸引了国际风险投资的目光。2007年6月,世界风险投资机构对晶能光电公司投资达5200万美元。 

    据晶能光电江西有限公司有关负责人介绍,晶能光电一期共投资9900万美元,形成年产30亿粒的硅衬底蓝、绿光LED芯片的生产能力,今年2月初将正式投产,二期工程也将同步进行,待投资完毕将达到年产100亿粒的生产能力,预计销售额8亿元人民币,力争成为全球具有竞争力的蓝、绿色发光二极管的生产企业之一。三期工程将完成总投资30亿人民币,建设LED大功率照明应用产品及产业集群,吸引全球半导体照明上下游配套产业聚集南昌,有望在这里形成一个产值达数十亿元的产业群。

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